Práce je zaměřena na určení perkolačního prahu ultratenkých vrstev wolframu připravených pomocí radiofrekvenčního magnetronového naprašování. Charakterizace v nanometrové oblasti byla provedena pomocí mikroskopických technik. Dále bylo provedeno měření stejnosměrné elektrické povrchové vodivosti, dielektrické konstanty pomocí THz spektroskopie v časové doméně, optické propustnosti, optických spekter pomocí UV/VIS spektrofotometrie a luminiscenčních spekter. Z výsledků těchto měření byl určen elektrický perkolační práh na hodnotě (1,79 ? 0,28) nm.
Anotace v angličtině
Main goal of this work is to determine percolation threshold of ultra-thin tungsten films deposited by radio-frequency magnetron sputtering. Nanoscale characterization of these films was done by microscopic techniques. Electrical DC surface conductivity, dielectric constant using THz-TDS, optical transmittance, UV/VIS spectrophotometry and luminescence spectra were measured. Electrical percolation threshold of these films was calculated from results of these measurements at (1.79 ? 0.28) nm.
Práce je zaměřena na určení perkolačního prahu ultratenkých vrstev wolframu připravených pomocí radiofrekvenčního magnetronového naprašování. Charakterizace v nanometrové oblasti byla provedena pomocí mikroskopických technik. Dále bylo provedeno měření stejnosměrné elektrické povrchové vodivosti, dielektrické konstanty pomocí THz spektroskopie v časové doméně, optické propustnosti, optických spekter pomocí UV/VIS spektrofotometrie a luminiscenčních spekter. Z výsledků těchto měření byl určen elektrický perkolační práh na hodnotě (1,79 ? 0,28) nm.
Anotace v angličtině
Main goal of this work is to determine percolation threshold of ultra-thin tungsten films deposited by radio-frequency magnetron sputtering. Nanoscale characterization of these films was done by microscopic techniques. Electrical DC surface conductivity, dielectric constant using THz-TDS, optical transmittance, UV/VIS spectrophotometry and luminescence spectra were measured. Electrical percolation threshold of these films was calculated from results of these measurements at (1.79 ? 0.28) nm.