Diplomová práce popisuje AFM, SMM mikroskopii, jejich funkce a konkurenční mikroskopii SEM. V této práci jsou ukázky a analýzy křemíkových desek, které jsou dodány od firmy ON SEMICONDUCTOR. Tato práce se zabývá koncentracemi příměsi dopantů a porovnáním výsledků s konkurenčními metodami měření.
Annotation in English
This Diploma thesis describes AFM, SMM microscopy, their function and competitive microscopy SEM. In this work are illustrations and analysis of silicon wafers, which are supplied by the company ON Semiconductor. This work deals with the dopant concentrations and compares the results with competing methods of measurement.
Keywords
AFM, SMM, P-N přechod, křemíkové desky
Keywords in English
AFM, SMM, P-N junction, silicon wafer
Length of the covering note
57
Language
CZ
Annotation
Diplomová práce popisuje AFM, SMM mikroskopii, jejich funkce a konkurenční mikroskopii SEM. V této práci jsou ukázky a analýzy křemíkových desek, které jsou dodány od firmy ON SEMICONDUCTOR. Tato práce se zabývá koncentracemi příměsi dopantů a porovnáním výsledků s konkurenčními metodami měření.
Annotation in English
This Diploma thesis describes AFM, SMM microscopy, their function and competitive microscopy SEM. In this work are illustrations and analysis of silicon wafers, which are supplied by the company ON Semiconductor. This work deals with the dopant concentrations and compares the results with competing methods of measurement.
Keywords
AFM, SMM, P-N přechod, křemíkové desky
Keywords in English
AFM, SMM, P-N junction, silicon wafer
Research Plan
Seznamte se s principem funkce, základními vlastnostmi a omezeními mikroskopu atomárních sil (AFM) Agilent 5420.
Proveďte srovnání metod dostupných na zařízení Agilent 5420 s vybranými konkurenčními metodami používanými v polovodičovém průmyslu pro analýzu geometrie a koncentračních profilů v polovodičových strukturách.
Na vybraných vzorcích, obsahujících vhodně zvolené geometrie a koncentrační profily, proveďte analýzu pomocí metod dostupných na zvoleném AFM zařízení a srovnejte dosažené výsledky se zaměřením na prostorové rozlišení. U metod umožňujících zviditelnění oblastí s různým elektrickým nábojem (např. vlivem elektricky aktivních příměsí v polovodiči) proveďte vyhodnocení dosaženého rozsahu a citlivosti použitých metod v závislosti na typu a koncentraci příměsi.
Proveďte srovnání dosažených výsledků v bodě 3 s výsledky dosaženými pomocí běžně používaných metod.
Research Plan
Seznamte se s principem funkce, základními vlastnostmi a omezeními mikroskopu atomárních sil (AFM) Agilent 5420.
Proveďte srovnání metod dostupných na zařízení Agilent 5420 s vybranými konkurenčními metodami používanými v polovodičovém průmyslu pro analýzu geometrie a koncentračních profilů v polovodičových strukturách.
Na vybraných vzorcích, obsahujících vhodně zvolené geometrie a koncentrační profily, proveďte analýzu pomocí metod dostupných na zvoleném AFM zařízení a srovnejte dosažené výsledky se zaměřením na prostorové rozlišení. U metod umožňujících zviditelnění oblastí s různým elektrickým nábojem (např. vlivem elektricky aktivních příměsí v polovodiči) proveďte vyhodnocení dosaženého rozsahu a citlivosti použitých metod v závislosti na typu a koncentraci příměsi.
Proveďte srovnání dosažených výsledků v bodě 3 s výsledky dosaženými pomocí běžně používaných metod.
Recommended resources
PLOOG, K. Physics and technology of semiconductor quantum devices. New York: Springer Verlag, 1993, 212 s. ISBN 35-405-6989-8.
GROVE, [by] A.S. Physics and technology of semiconductor devices. New York, N.Y: J. Wiley and Sons, 1967. ISBN 978-047-1329-985.
HAUGSTAD, Greg. Atomic force microscopy: understanding basic modes and advanced applications. Hoboken, N.J.: John Wiley, c2012, xxii, 464 p. ISBN 978-047-0638-828.
WU, Shijie a Theresa HOPSON. SMM Imaging of Dopant Structures of Semiconductor Devices. In: Application note [online]. USA: ? Agilent Technologies, 2012 [cit. 2013-02-05]. Dostupné z: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5991-0562EN.pdf
KALININ, S a A GRUVERMAN. Scanning probe microscopy: electrical and electromechanical phenomena at the nanoscale. New York: Springer, c2007, 2 v. (xx, 980 p., [8] p. of plates). ISBN 03872866752-.
Recommended resources
PLOOG, K. Physics and technology of semiconductor quantum devices. New York: Springer Verlag, 1993, 212 s. ISBN 35-405-6989-8.
GROVE, [by] A.S. Physics and technology of semiconductor devices. New York, N.Y: J. Wiley and Sons, 1967. ISBN 978-047-1329-985.
HAUGSTAD, Greg. Atomic force microscopy: understanding basic modes and advanced applications. Hoboken, N.J.: John Wiley, c2012, xxii, 464 p. ISBN 978-047-0638-828.
WU, Shijie a Theresa HOPSON. SMM Imaging of Dopant Structures of Semiconductor Devices. In: Application note [online]. USA: ? Agilent Technologies, 2012 [cit. 2013-02-05]. Dostupné z: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5991-0562EN.pdf
KALININ, S a A GRUVERMAN. Scanning probe microscopy: electrical and electromechanical phenomena at the nanoscale. New York: Springer, c2007, 2 v. (xx, 980 p., [8] p. of plates). ISBN 03872866752-.
