Diplomová práce popisuje AFM, SMM mikroskopii, jejich funkce a konkurenční mikroskopii SEM. V této práci jsou ukázky a analýzy křemíkových desek, které jsou dodány od firmy ON SEMICONDUCTOR. Tato práce se zabývá koncentracemi příměsi dopantů a porovnáním výsledků s konkurenčními metodami měření.
Anotace v angličtině
This Diploma thesis describes AFM, SMM microscopy, their function and competitive microscopy SEM. In this work are illustrations and analysis of silicon wafers, which are supplied by the company ON Semiconductor. This work deals with the dopant concentrations and compares the results with competing methods of measurement.
Klíčová slova
AFM, SMM, P-N přechod, křemíkové desky
Klíčová slova v angličtině
AFM, SMM, P-N junction, silicon wafer
Rozsah průvodní práce
57
Jazyk
CZ
Anotace
Diplomová práce popisuje AFM, SMM mikroskopii, jejich funkce a konkurenční mikroskopii SEM. V této práci jsou ukázky a analýzy křemíkových desek, které jsou dodány od firmy ON SEMICONDUCTOR. Tato práce se zabývá koncentracemi příměsi dopantů a porovnáním výsledků s konkurenčními metodami měření.
Anotace v angličtině
This Diploma thesis describes AFM, SMM microscopy, their function and competitive microscopy SEM. In this work are illustrations and analysis of silicon wafers, which are supplied by the company ON Semiconductor. This work deals with the dopant concentrations and compares the results with competing methods of measurement.
Klíčová slova
AFM, SMM, P-N přechod, křemíkové desky
Klíčová slova v angličtině
AFM, SMM, P-N junction, silicon wafer
Zásady pro vypracování
Seznamte se s principem funkce, základními vlastnostmi a omezeními mikroskopu atomárních sil (AFM) Agilent 5420.
Proveďte srovnání metod dostupných na zařízení Agilent 5420 s vybranými konkurenčními metodami používanými v polovodičovém průmyslu pro analýzu geometrie a koncentračních profilů v polovodičových strukturách.
Na vybraných vzorcích, obsahujících vhodně zvolené geometrie a koncentrační profily, proveďte analýzu pomocí metod dostupných na zvoleném AFM zařízení a srovnejte dosažené výsledky se zaměřením na prostorové rozlišení. U metod umožňujících zviditelnění oblastí s různým elektrickým nábojem (např. vlivem elektricky aktivních příměsí v polovodiči) proveďte vyhodnocení dosaženého rozsahu a citlivosti použitých metod v závislosti na typu a koncentraci příměsi.
Proveďte srovnání dosažených výsledků v bodě 3 s výsledky dosaženými pomocí běžně používaných metod.
Zásady pro vypracování
Seznamte se s principem funkce, základními vlastnostmi a omezeními mikroskopu atomárních sil (AFM) Agilent 5420.
Proveďte srovnání metod dostupných na zařízení Agilent 5420 s vybranými konkurenčními metodami používanými v polovodičovém průmyslu pro analýzu geometrie a koncentračních profilů v polovodičových strukturách.
Na vybraných vzorcích, obsahujících vhodně zvolené geometrie a koncentrační profily, proveďte analýzu pomocí metod dostupných na zvoleném AFM zařízení a srovnejte dosažené výsledky se zaměřením na prostorové rozlišení. U metod umožňujících zviditelnění oblastí s různým elektrickým nábojem (např. vlivem elektricky aktivních příměsí v polovodiči) proveďte vyhodnocení dosaženého rozsahu a citlivosti použitých metod v závislosti na typu a koncentraci příměsi.
Proveďte srovnání dosažených výsledků v bodě 3 s výsledky dosaženými pomocí běžně používaných metod.
Seznam doporučené literatury
PLOOG, K. Physics and technology of semiconductor quantum devices. New York: Springer Verlag, 1993, 212 s. ISBN 35-405-6989-8.
GROVE, [by] A.S. Physics and technology of semiconductor devices. New York, N.Y: J. Wiley and Sons, 1967. ISBN 978-047-1329-985.
HAUGSTAD, Greg. Atomic force microscopy: understanding basic modes and advanced applications. Hoboken, N.J.: John Wiley, c2012, xxii, 464 p. ISBN 978-047-0638-828.
WU, Shijie a Theresa HOPSON. SMM Imaging of Dopant Structures of Semiconductor Devices. In: Application note [online]. USA: ? Agilent Technologies, 2012 [cit. 2013-02-05]. Dostupné z: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5991-0562EN.pdf
KALININ, S a A GRUVERMAN. Scanning probe microscopy: electrical and electromechanical phenomena at the nanoscale. New York: Springer, c2007, 2 v. (xx, 980 p., [8] p. of plates). ISBN 03872866752-.
Seznam doporučené literatury
PLOOG, K. Physics and technology of semiconductor quantum devices. New York: Springer Verlag, 1993, 212 s. ISBN 35-405-6989-8.
GROVE, [by] A.S. Physics and technology of semiconductor devices. New York, N.Y: J. Wiley and Sons, 1967. ISBN 978-047-1329-985.
HAUGSTAD, Greg. Atomic force microscopy: understanding basic modes and advanced applications. Hoboken, N.J.: John Wiley, c2012, xxii, 464 p. ISBN 978-047-0638-828.
WU, Shijie a Theresa HOPSON. SMM Imaging of Dopant Structures of Semiconductor Devices. In: Application note [online]. USA: ? Agilent Technologies, 2012 [cit. 2013-02-05]. Dostupné z: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5991-0562EN.pdf
KALININ, S a A GRUVERMAN. Scanning probe microscopy: electrical and electromechanical phenomena at the nanoscale. New York: Springer, c2007, 2 v. (xx, 980 p., [8] p. of plates). ISBN 03872866752-.
Přílohy volně vložené
SRP bez pasivace
SRP s pasivaci
Přílohy vázané v práci
ilustrace, grafy, tabulky
Převzato z knihovny
Ne
Plný text práce
Přílohy
Posudek(y) oponenta
Hodnocení vedoucího
Záznam průběhu obhajoby
Diplomantka odprezentovala před komisí hlavní cíle a výsledky své diplomové práce. Prezentace jako celek působila velmi dobrým dojmem, jednotlivé snímky prezentace graficky i obsahově vyvážené. Součástí prezentace byla praktická ukázka. Následně byla studentka seznámena s posudky vedoucího a oponenta diplomové práce. Diplomantka postupně odpověděla na otázky oponenta práce.
Komise vznesla k obhajobě následující dotazy:
1) Doc. Křesálek: Co znamená zkratka SMM?
Na uvedené dotazy odpovídala studentka pohotově bez zaváhání.